CM6111：超低噪声低压差线性稳压器-ASIM阿赛姆

CM6111：超低噪声低压差线性稳压器

0.8μVrms噪声｜78dB PSRR@1MHz｜200mA宽压输出

核心电气性能

CM6111是支持2.6V-20V宽输入的高性能LDO，关键特征包括：

• 超低噪声：RMS噪声 0.8μVrms（10Hz-100kHz），散粒噪声 2nV/√Hz@10kHz

• 超高PSRR：78dB@1MHz（典型值），行业领先的高频抑制能力  

• 宽压输出：1.7V-15V可调输出，350mV低压差@200mA

• 并联扩展性：支持多芯片并联提升电流/降低噪声（降噪幅度∝1/√N）

技术创新解析

1. 噪声抑制架构

• 无电压基准设计
  采用100μA高精度电流源（噪声6nArms），配合单位增益架构消除分压电阻噪声放大效应  

• SET引脚双级滤波
  外接≥10nF电容（CSET）可抑制高频耦合干扰，将输出噪声压制至0.8μVrms

V_noise^2 = (I_noise × R_SET)^2 + V_amp^2   // SET电容滤除I_noise×R_SET项   

2. 稳定性增强设计

• 开尔文接地连接
  SET电阻与输出电容（COUT）的GND必须直连芯片GND引脚，规避PCB走线阻抗引发的振荡  

  

  
  

• 电容选型规范：

  • 最小COUT=4.7μF陶瓷电容（ESR<50mΩ，ESL<2nH）  

  • SET电容CSET≥0.47μF可优化瞬态响应

  
  

3. 智能功能集成

• 快速启动电路
  当PGFB<300mV时激活2mA SET电流源，解决大CSET带来的启动延迟

• 可编程限流：
  ILIM引脚外接电阻实现比例限流：I_limit=120mA·kΩ/R_ILIM（例：R=1kΩ→120mA）  

• PG指示机制：

  V_PGth = 0.3V × (1 + R_{PG2}/R_{PG1})   // 分压电阻设置电源良好阈值（手册P15）   

  
  

典型应用场景

设计准则与禁忌

1. PCB布局规范

   • SET引脚必须加全包围Guard Ring，宽度≥0.3mm防漏电流（100nA漏流→0.1%误差）  

   • IN/OUT电容GND引脚间距≤1.5mm

   
   

2. 并联设计要点

   • 各芯片OUT引脚通过50mΩ镇流电阻连接，200mA负载下电流不均衡度<20%  

   • 并联后压差增加量：ΔV_drop = I_load × R_ballast（例：400mA×50mΩ=20mV）

   
   

3. 禁用场景

   • 振动环境中禁用陶瓷CSET电容（压电效应产生数百μV噪声）  

   • EN/UV引脚不可悬空（不用时须接IN）  

   
   

封装与订购信息